Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

Tavola-disegno-6@8x-100-scaled
previous arrow
next arrow

TECNOLOGIE GaN E SiC

COD: 979-12-5520-117-5 Categoria: Tag:

In Sintesi

Autore: Stefania Ferro

Sottotitolo: Dai fondamenti alla progettazione e analisi di mercato

Formato: 17 x 24 cm.

Casa Editrice: Editoriale Delfino

ISBN: 979-12-5520-117-5

Numero di pagine: 336

Edizione: I edizione 2024

Descrizione

Nel sempre mutevole panorama della tecnologia dell’elettronica di potenza, la ricerca di maggiore efficienza, affidabilità e prestazioni è continua. Il Nitruro di Gallio (GaN) e Carburo di Silicio (SiC) sono emersi come i pionieri dell’innovazione, facilitando lo sviluppo di dispositivi che non solo soddisfano le esigenze energetiche rigorose di oggi, ma preparano anche la strada per un futuro sostenibile ed elettrificato. Questo libro approfondisce le complessità dei materiali wide bandgap (GaN e SiC) e le loro applicazioni, offrendo un viaggio completo dai principi fondamentali all’implementazione pratica e alla dinamica di mercato. Il percorso riflette la mia attività editoriale degli ultimi anni e alla fine di ogni capitolo troverete un elenco di riferimenti consigliati che offrono preziosi approfondimenti sulla materia.

Autore

Sommario

Prefazione
Riconoscimenti
Capitolo 1 – ELETTRONICA DI POTENZA
Capitolo 2 – DISPOSITIVI DI POTENZA AL SILICIO
Capitolo 3 – MATERIALI WIDE BANDGAP
Capitolo 4 – NITRURO DI GALLIO
Capitolo 5 – DISPOSITIVI DI POTENZA AL NITRURO DI GALL
Capitolo 6 – APPLICAZIONI DEL GAN
Capitolo 7 – CARBURO DI SILICIO
Capitolo 8 – DISPOSITIVI AL CARBURO DI SILICIO
Capitolo 10 – MERCATO DEI SEMICONDUTTORI WBG
Capitolo 11 – IL FUTURO DELL’ELETTRONICA DI POTENZA: I SERVIZI DI FONDERIA

Recensioni

Ancora non ci sono recensioni.

Recensisci per primo “TECNOLOGIE GaN E SiC”

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Questo prodotto

vale 8 gettoni

OPPURE ACQUISTA SINGOLARMENTE

 8,00

Recensioni

    Recensisci per primo “TECNOLOGIE GaN E SiC”

    Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

    TECNOLOGIE GaN E SiC

    COD: 979-12-5520-117-5 Categoria: Tag:

    Questo articolo

    vale 4 gettonI

    OPPURE ACQUISTA SINGOLARMENTE

     8,00

    In Sintesi

    Autore: Stefania Ferro

    Sottotitolo: Dai fondamenti alla progettazione e analisi di mercato

    Formato: 17 x 24 cm.

    Casa Editrice: Editoriale Delfino

    ISBN: 979-12-5520-117-5

    Numero di pagine: 336

    Edizione: I edizione 2024

    Descrizione

    Nel sempre mutevole panorama della tecnologia dell’elettronica di potenza, la ricerca di maggiore efficienza, affidabilità e prestazioni è continua. Il Nitruro di Gallio (GaN) e Carburo di Silicio (SiC) sono emersi come i pionieri dell’innovazione, facilitando lo sviluppo di dispositivi che non solo soddisfano le esigenze energetiche rigorose di oggi, ma preparano anche la strada per un futuro sostenibile ed elettrificato. Questo libro approfondisce le complessità dei materiali wide bandgap (GaN e SiC) e le loro applicazioni, offrendo un viaggio completo dai principi fondamentali all’implementazione pratica e alla dinamica di mercato. Il percorso riflette la mia attività editoriale degli ultimi anni e alla fine di ogni capitolo troverete un elenco di riferimenti consigliati che offrono preziosi approfondimenti sulla materia.

    Autore

    Sommario

    Prefazione
    Riconoscimenti
    Capitolo 1 – ELETTRONICA DI POTENZA
    Capitolo 2 – DISPOSITIVI DI POTENZA AL SILICIO
    Capitolo 3 – MATERIALI WIDE BANDGAP
    Capitolo 4 – NITRURO DI GALLIO
    Capitolo 5 – DISPOSITIVI DI POTENZA AL NITRURO DI GALL
    Capitolo 6 – APPLICAZIONI DEL GAN
    Capitolo 7 – CARBURO DI SILICIO
    Capitolo 8 – DISPOSITIVI AL CARBURO DI SILICIO
    Capitolo 10 – MERCATO DEI SEMICONDUTTORI WBG
    Capitolo 11 – IL FUTURO DELL’ELETTRONICA DI POTENZA: I SERVIZI DI FONDERIA

    Recensioni

    Ancora non ci sono recensioni.

    Recensisci per primo “TECNOLOGIE GaN E SiC”

    Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

    Recensioni

      Recensisci per primo “TECNOLOGIE GaN E SiC”

      Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *